雖然說在光刻機領域中,上海微電子一直表現比較搶眼,但在市面上出售的光刻機,卻著實有些令人感覺到差異,90nm的光刻機和荷蘭ASML的7nmEuv的區別著實有點過大了。但是,這種“憋屈”,我們現在還得承受著,這是無奈之舉。

我們得打破《瓦森納協定》的束縛? 其實,我們知道,《瓦森納協定》是成了禁錮我們發展的一大不可忽視的緊箍咒,不僅僅以為主的國家,極力的阻止我們在半導體領域的發展,還通過技術管制,讓我們很難在技術中,得以進步。因為,最新的技術確實在等西方國家的技術鉗制中! 因此,如果打破不了《瓦森納協定》的束縛,我們在光刻機方面,還是會處于不小的壓力,這才是我們必須要知道的。 光刻機,需要多種技術的集合 什么是光刻機?光刻機是我們在生產芯片中的重要部分,其實簡單的解釋是,將光罩上的設計好集成電路圖形通過光線的曝光印到光感材料上。因此,鏡頭、分辨率、套刻精度都非常重要。 我們經常說的nm是什么意思呢?其實,就是光刻機在365納米光源波長下(深紫外光),單次曝光最高線寬分辨力達到多少納米。 我們知道,光刻機的曝光系統常見光源分為:紫外光(UV)、深紫外光(DUV)、極紫外光(EUV)等等,如今能夠在EUV中有所作為的,可能只有ASML了。其實,ASML的成功是集眾家之長,比如德國蔡司提供的鏡頭,公司供應的光源,也囊括了海力士、三星、英特爾等多家公司,因為它們是ASML的股東,這就是阿麥斯聰明之處,想優先獲得我的光刻機,就得成為我的股東。 技術集合的困難,是我國光刻機發展的難點。其實,上海微電子的發展已經很不錯了,我覺得我們可能需要的是,換一種思路,打破國際慣例的技術限制,這就比如武漢光電國家研究中心的甘宗松團隊,成功研發利用二束激光,生產9nm工藝制程的光刻機一樣,未來的限制只會被打破。
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